17:17

dead to be mad
Предварительно, тема моего диплома звучит так:
Определение профиля концентрации свободных носителей заряда в HEMT-структурах.
Страшно?

@темы: треп

Комментарии
09.09.2010 в 18:28

Робеспьер белосенсорного подтипа
Красиво).
09.09.2010 в 18:37

мне хочется думать о вас хорошо
очень
09.09.2010 в 18:41

dead to be mad
Маленькая Ру-Ру
страшно или красиво?
09.09.2010 в 19:00

мне хочется думать о вас хорошо
и то и то)))
09.09.2010 в 20:46

Расскажи, о чем это. Интересно же)
09.09.2010 в 21:32

dead to be mad
Мошка*
Это об определении профиля свободных носителей в HEMT-структурах))

Что тебя конкретно интересует-то?
09.09.2010 в 21:39

Интересует, что это за структуры и что такое профили свободных носителей :D Попроще как-нибудь можно?)
09.09.2010 в 21:51

dead to be mad
Мошка*
Профиль свободных носителей - это распределение свободных носителей, т.е. электронов или "дырок".
HEMT-структура - это транзистор на быстрых электронах, являющийся гетероструктурой.
Изобретателем считается очередной японец.
09.09.2010 в 22:55

Приблизительно понятно, спасибо :)

Расширенная форма

Редактировать

Подписаться на новые комментарии
Получать уведомления о новых комментариях на E-mail